Корпуса для мощных ВЧ транзисторов

Английский
Корпуса для мощных ВЧ транзисторов

Kyocera поставляет корпуса для мощных ВЧ транзисторов, в том числе кремниевых полевых транзисторов LDMOS, арсенидгаллиевых ПТ/ТВПЭ и широкозонных полупроводниковых ПТ/ТВПЭ, изготовленных
с использованием нитрида галлия, карбида кремния и других материалов. Для устройств большой мощности возможны керамические межслойные соединения с низким электрическим сопротивлением и теплоотводом
с низким тепловым сопротивлением.

ВЧ: высокая частота (RF)
LDMOS: металлооксидные полупроводники с поверх. диффузией
ПТ: полевой транзистор (FET)
ТВПЭ: транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT)
GaAs: арсенид галлия, GaN: нитрид галлия, SiC: карбид кремния


 Керамические межслойные соединения с низким электрическим сопротивлением (AO600)
Керамические межслойные соединения с низким электрическим сопротивлением (AO600) Электрическое сопротивление двух типов керамических межслойных соединений послетеста
на термоциклирование :

от -65oC (30 минут) до +175oC (30 минут)

 Теплоотвод с низким тепловым сопротивлением (CM4)
Теплоотвод с низким тепловым сопротивлением (CM4) Тепловое сопротивление теплоотводов на примере четырех материалов
(CM4 - код Kyocera для материалов.)

Размер теплоотвода: 24 mm x 17,4 mm x 1,4 mm
Размер термочипа: 4mm x 1,5 mm x 0,5 mm
Примечание: Тепловое сопротивление может
быть ниже указанных примеров при применении
более тонкого теплоотвода (CM4). Однако
толщина должна пересматриваться
в соответствии с условиями применения
и оценки.

Полупроводниковые компоненты

Запросы о содержании страницы (Английский)

Родственная продукция
Подложки для тонкопленочных МИС
Корпуса для ММИС
   
 
Наверх